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Transistor de germanio 2n404: Componente NOS fabricado entre 1957 y 1970, es un transistor de germanio PNP de uso general de baja ganancia (60-150 aprox), encapsulado TO-5 con un indicador en el emisor. Este es un reemplazo ideal para el ac128 y se entrega medido por fugas y ganancia real sin costo adicional. Su valor es por unidad.
Transistor de efecto de campo (JFET) de canal N. Es un amplificador de radio frecuencia (también audio-frec) diseñado para aplicaciones de switcheo electrónico . Encapsulado TO-92.Fabricado por Fairchild Semiconductor. Precios mayoristas.
Transistor de efecto de campo (JFET) de canal N. Es un amplificador de uso general diseñado para aplicaciones de audio de bajo nivel con fuentes de alta impedancia. Encapsulado TO-92.Fabricado por Fairchild Semiconductor. Precios mayoristas.
Transistor de unión bipolar (BJT) de silicio NPN. Es un amplificador de uso general de alta ganancia y bajo ruido, voltaje máximo colector-emisor de 20 volts DC y corriente máxima de colector de 200 mA DC. Encapsulado TO-18 de metal.Fabricado por Fairchild Semiconductor.
Transistor de efecto de campo (JFET) de canal N. Es un amplificador de radio frecuencia (tambien audio-frec) diseñado para aplicaciones de switcheo electrónico . Encapsulado TO-92.Fabricado por Fairchild Semiconductor. Nuevo precio rebajado.
Transistor de efecto de campo (JFET) de canal N. Es un amplificador de radio frecuencia (tambien audio-frec) diseñado para aplicaciones de switcheo electrónico . Encapsulado TO-92.Fabricado por Fairchild Semiconductor. Precios mayoristas.
Transistor de efecto de campo (JFET) de canal N. Es un amplificador de uso general diseñado para aplicaciones de audio de bajo nivel y switcheo electrónico . Encapsulado TO-92.Fabricado por Fairchild Semiconductor. Precios mayoristas.
Transistor de efecto de campo (JFET) de canal N. Es un amplificador de uso general diseñado para aplicaciones de audio de bajo nivel y switcheo electrónico . Encapsulado TO-92. Fabricado por Fairchild Semiconductor. Precios mayoristas.
Transistor de unión bipolar (BJT) NPN de silicio. Es un amplificador de uso general de baja ganancia (50 min, 150 max), voltaje máximo colector-emisor de 18 volts DC y corriente máxima de colector de 50 mA DC. Encapsulado TO-106. Componente NOS (new old stock)
Transistor de unión bipolar (BJT) NPN. Es un amplificador de uso general de alta ganancia y bajo ruido, voltaje máximo colector-emisor de 25 volts DC y corriente máxima de colector de 100 mA DC. Encapsulado TO-92.Fabricado por Fairchild Semiconductor. Precios mayoristas.
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