2n5551

2N5551

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Descripción

Transistor de unión bipolar (BJT) NPN. Es un amplificador de uso general de alta ganancia y bajo ruido para aplicaciones que requieren alto voltaje, su voltaje máximo colector-emisor es de 160 volts DC y corriente máxima de colector de 600 mA DC. Encapsulado TO-92.Fabricado por Fairchild Semiconductor.

Información Adicional

Peso 0.0003 kg